目录
趋势与展望
GaN HEMT瞬态结温光学测试技术及应用黄先奎;817-827半导体集成电路
一种单引脚修调电路的设计李晶;汪西虎;许建蓉;828-833
能量收集最大功率点跟踪DC-DC升压转换器设计韦雪明;覃毅青;侯伶俐;834-840
一种用于宽带中频滤波器的运算放大器共模补偿方法梅志林;胡思静;封斌;陈红林;王祥炜;841-849+873
0.8～2.7GHz GaAs PHEMT高线性驱动放大器张欢;张昭阳;张晓朋;高博;850-855+885半导体器件
基于MEA-BP算法的IGBT结温预测模型孟昭亮;吕亚茹;高勇;杨媛;吴磊;856-862
用于GaN功率开关的低损耗高频全GaN栅极驱动器赵永瑞;贾东东;史亚盼;吴志国;李俊敏;赵光璞;师翔;863-866
氧化孔径对VCSEL功耗和效率的影响李荣伟;孙玉润;于淑珍;尹佳静;董建荣;867-873半导体材料
维护周期对8英寸薄层Si外延片性能的影响米姣;薛宏伟;袁肇耿;吴晓琳;张佳磊;张双琴;石巧曼;874-879+904
环境因素对锗单晶抛光片表面质量的影响杨洪星;王雄龙;索开南;杨静;陈晨;880-885半导体制造技术
抑制剂1,2,4-三氮唑在Cu CMP后清洗中的作用王亚珍;张师浩;檀柏梅;王立华;田思雨;886-891
新型缓蚀剂对阻挡层为Ru/TaN的Cu图形片CMP的影响张雪;周建伟;王辰伟;王超;892-898半导体检测与设备
一种GaAs基Si3N4薄膜斜坡电压测试方法及其应用林锦伟;899-904