目录
趋势与展望
超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展赵正平;1-14
纳米氧化锌传感器的研究进展刘雨雨;熊艳;15-23+29半导体集成电路
一种阵列式版图布局的低温度系数CMOS带隙基准电压源王鹏飞;刘博;段文娟;张立文;张金灿;24-29
低电调电压全集成10～20GHz VCO的设计与实现高晓强;张加程;王增双;孙高勇;30-35+46
具有带外抑制特性的Ka波段低功耗低噪声放大器曾志;李远鹏;陈长友;36-40
一种基于滑窗回溯多标准Viterbi译码器卜庆增;张玲;于宗光;陈振娇;徐新宇;41-46半导体器件
一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型章婷婷;刘军;夏颖;张志国;47-52
一种新型高性能FinFET的设计与特性分析吴頔;汤乃云;53-58
P波段3kW GaN功率器件的研制高永辉;徐守利;银军;赵夕彬;陈欣华;黄雒光;崔玉兴;59-63半导体材料
不同退火氛围对TiN/HfO2/SiO2/Si结构电荷分布的影响徐永贵;韩锴;高建峰;64-69可靠性
陶瓷封装倒装焊器件Sn-Pb微焊点的电迁移行为文惠东;胡会献;张代刚;谢晓辰;林鹏荣;70-74半导体检测与设备
晶圆级导通电阻测试精度的改进方法方绍明;李照华;75-80
2021年主要栏目设置40