目录
趋势与展望
超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续)赵正平;81-103
硅通孔抛光液的研究进展郑晴平;王如;吴彤熙;104-110
半导体集成电路
一款25Gibit/s低抖动大摆幅电压模逻辑发送器白丽霞;祝运嵘;王晴雯;杨骏;陈铖颖;祁楠;111-116+123
基于MOSFET ZTC工作点的高阶曲率补偿电压基准刘锡锋;王津飞;林婵;居水荣;117-123
C波段高效率高线性GaN MMIC功率放大器乔明昌;张志国;王衡;124-128
0.5～2.7 GHz GaAs超宽带多功能MMIC芯片设计丁有源;王青松;牛伟东;129-133+157
半导体器件
氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的影响李鹏飞;魏淑华;康玄武;张静;吴昊;孙跃;郑英奎;134-138+168
电子阻挡层对UV LED芯片老化后反向漏电的影响孟锡俊;王晓东;闫建昌;曾一平;李晋闽;139-143+157
IGBT芯片参数对瞬态均流特性的影响闫音蓓;赵志斌;杨艺烜;彭程;144-151
半导体材料
NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比对HVPE生长GaN薄膜的影响潘大力;杨瑞霞;张嵩;董增印;152-157
先进封装技术
一种应用于12 GHz的AlN多层陶瓷外壳杨振涛;彭博;刘林杰;高岭;158-163+168
半导体检测与设备
SOI MOSFET自加热效应测试方法王娟娟;曾传滨;李江江;倪涛;李晓静;李多力;罗家俊;164-168