目录
趋势与展望
Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展刘鹏浩;江弘胜;张明丹;张晓琴;陈胜;王文樑;李国强;825-832
半导体集成电路
采用高性能负压电荷泵的AMOLED驱动DC-DC转换器袁敏民;孔令韬;毛成烈;常昌远;郭鹏宇;833-840
一种衬底电位自调整电源反向保护电路李涛;徐江涛;彭宇;841-846+860
基于GaN HEMT工艺的高功率宽带6 bit数字移相器（英文）谢媛媛;吴洪江;赵子润;847-853
一款集成VCO宽带频率合成器梁佳琦;权海洋;张佃伟;杨立;854-860
半导体器件
6.5kV SiC光控晶闸管的研制杨燎;陈宏;郑昌伟;白云;杨成樾;861-865
基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法余秋萍;赵志斌;孙鹏;赵斌;866-874
半导体制备技术
衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响米姣;张涵琪;薛宏伟;袁肇耿;吴会旺;875-880+886
先进封装技术
混合烧结高散热导电胶的封装应用及性能刘怡;张灏杰;柳炀;龚臻;张月升;宋大悦;881-886
可靠性
基于Anand模型的柔性直流输电用IGBT模块焊接应力变形分析王蕤;骆健;姚二现;董长城;刘旭光;杨阳;887-892+898
氮退火对SiC MOSFET栅源电压漂移的影响高秀秀;邱乐山;戴小平;893-898
半导体检测与设备
GaN HEMT外延材料表征技术研究进展杜成林;蔡小龙;叶然;刘海军;张煜;段向阳;祝杰杰;899-908
《半导体技术》2022年栏目设置
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