目录
趋势与展望
磷化铟晶体中孪晶形成机理的研究进展王书杰;孙聂枫;徐森锋;史艳磊;邵会民;姜剑;张晓丹;593-601+669
半导体材料与器件
氧化态对锗衬底表面质量的影响何远东;张伟才;杨洪星;韩焕鹏;602-605+648
浮空p柱结构的超结IGBT器件的设计吴玉舟;李泽宏;禹久赢;潘嘉;陈冲;任敏;606-611
6.5 kV SiC MOSFET的优化及开关特性魏晓光;张文婷;申占伟;田丽欣;孙国胜;杨霏;612-620
激光雷达用大功率小发散角脉冲激光器李亮;李扬;彭海涛;王彦照;王爽;付越东;张玉明;621-624+664
半导体制备技术
InP的快速大容量注入合成机理分析及多晶制备李艳江;王书杰;孙聂枫;陈春梅;付莉杰;姜剑;张晓丹;625-629
LPCVD制备多晶硅薄膜的性能马红娜;李锋;赵学玲;史金超;张伟;630-635
基于通孔双面分步填充的TSV制备方法田苗;栾振兴;陈舒静;刘民;王凤丹;程秀兰;636-641
不同激光切割晶硅太阳电池片的性能及应用耿亚飞;蒋京娜;张颖;荣丹丹;马帅;史金超;麻超;642-648
集成电路设计与应用
基于忆阻器的组合逻辑电路设计姬超;李拓;邹晓峰;张璐;649-659
SiC MOSFET驱动与保护电路设计咸粤飞;崔晓光;胡冰;邵春伟;赵栋;赵振华;闫青亮;660-664
一种基于新型片上变压器的数字隔离器设计周国;罗和平;廖龙忠;陈卓;张力江;665-669
一种基于斯坦福RRAM模型的参数提取方法孙海燕;张硕;张晓波;戴澜;670-675
《半导体技术》稿约
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征文通知 第十六届固态和集成电路技术国际会议
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